我的角度鋸 (Miter saw)

上一次注意到Miter saw 已經是一兩年前了. 那是在展場上看到 Festool 的  KS120 ,印像中是好東西但價格更驚人(>50K).  後來開始裝潢房子.考慮再三買了一支 Makita 的 SP6000. 近來考慮用 2x4", 2x6 " 的木材來做天花板. 因為要在12尺的角才上鋸出溝槽. 桌鋸及 SP6000都不方便,所以又重新思考Miter saw.
首先在網路上做了一些功課並整理如下.

• Miter saw有分三個等級.
• 1. Miter saw: Miter Saw 由ㄧ個圓形,可旋轉的台面(用來放待鋸物）及ㄧ垂直於鋸台的可下壓圓鋸所組成.它可以用來切斷角才
• 2. Compound Miter saw( CMS) ：除了台面可旋轉外鋸面也可以左右傾斜(~45 degree).
• 3. Sliding compound Miter Saw (SCMS): 除了CMS 的功能外鋸面還可以做水平移動.

• Miter saw  的主流品牌:
• BOSCH : 4410, 4310,..
• Makita：LS1016, LS1013,..
• Hitachi : C10FSB, C10FSH,..

我的選擇

•  12"鋸是各品牌的旗艦機種.  通常新機種,新功能都是先出現在12" 鋸上. 而10"機種在價格,重量,尺寸與功能上並不划算.很想買12" 的但考慮到使用空間問題,仍然決定用10"機種 .再來因為要鋸出溝槽所以鎖定了 SCMS.
• Bosch, Makita, Hitachi 近兩年都有新機型 , 看過了AMZON 的 customer reviews, Makita 及Hitachi 有一些品質上的 issue. 而Bosch的4310從規格來看似乎是 4410 的 cost down機種reviews 也不多.
• 最後選擇了Dewalt  DW717. 主要原因是:
• 新機種
• 評價中上.目前沒有Quality issue
• 價格 OK, $447.42

目前進度

•  Amazon  的 transaction 非常好, 但hopshopgo就比較慢了. 預計這週五會到.

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SOI CMOS / Bulk CMOS process 製程

近來花了些時間 study SOI process 與Bulk CMOS 製程的差異.下面是自己的一些看法.

1. 何謂SOI?     

•  SOI 原文是 Silicon on insulator. 它是一種半導體的製程.更完整的英文是 SOI CMOS technology.   它的對應製程是 Bulk CMOS technology.    如同你所預期的是這兩種製程一定各有優缺點. 簡單的說: Bulk CMOS 擁有價格上的優勢而 SOI CMOS 則 Performance 較佳. 目前這兩種製程各有擁護者.  
• Bulk CMOS:  Intel, TSMC,..
• SOI CMOS:  IBM, AMD, Freescale, Chartered Semiconductor,.. 

2. CMOS是指什麼 ? CMOS 為何出現在 SOI 的討論中 呢?

•   CMOS 就是 complementary MOS, 也就是NMOS/ PMOS.但 CMOS 為何出現在我們這個議題呢? 大家都知道所謂 積體電路 (IC) 是指由 Transistor, Resistor and Capacitor,.. 所組成線路. 這其中的 Transistor 指的是 NMOS/PMOS ( Bipolar的製程 很少). 所以CMOS 是IC 的基本構成元件( elements ). 回到我們的主題. 如何在wafer 上做出 NMOS/PMOS呢?市場上有兩種主流方法(Technology). 分別是傳統的 Bulk CMOS 和 SOI CMOS.

3. Bulk CMOS  的結構是怎樣呢？

• Bulk CMOS的結構如下頁圖. 簡單的說: IC中所有的元件就從一片矽晶 (wafer)開始使用以下所提及的製程(processes)去做出完整的電路. Bulk 在這應該是ㄧ塊或整塊.它的優點是製程( 相對)單純.
它的製做過程是在ㄧ片本質 矽 (intrinsic silicon;稱為Bulk wafer)上,運用以下技術,在wafer 上做出CMOS及其它元件.
1. 在本質 （intrinsic) Silicon 中置入 3 價元素變成帶正電的Ｐtype silicon. 或者置入 5 價元素變成帶負電的Ｎtype silicon.
2.  改變或強化 Silicon  的類型, P type silicon <-> N type silicon
3. 生長絕緣層 (SiO2).
4. 生長導電層( For contact pad).
• 在一塊矽晶片上運用技術做出所有的零件 ( component )併加以正確的連結 (connection) 而完成一個電路中所面臨的一個重要問題是元件與元件之間的隔離 (isolation) . 我們知道矽晶本身是半導體非絕緣體它仍然有微弱的導電性.再從結構上來看NMOS的channel與PMOS的channel是一逆向的PN接面來作電氣隔離我們知道逆向PN接面仍有漏電流及接面電容存在. 

4. SOI CMOS 的結構是怎樣呢?

• SOI CMOS 的結構如左頁附圖. 從製程的角度來看.其最大的差異在它所用的原材料（Raw Material) 與Bulk CMOS 明顯不同. SOI CMOS使用的是三明治結構的 SOI wafer 而非Bulk wafer, 這也就是這兩種製程名稱的由來.
•  這一層SOI Wafer 的製造難度遠高於在Bulk CMOS 所用的技術與設備.
• SOI CMOS 的製程雖較複雜. 但晶體架構單純, 每一晶體都與其它晶體完全隔離.也不需要N-Well.所以就有以下頁表中的優點.

5. Main features of SOI / Bulk CMOS processes?

製程技術	Bulk CMOS	SOI	註
製程	製程單純,製造成本低	製程複雜製,造成本高
密度(Density)	低	高	晶體數/單位面積
雜散電容	大	小
漏電流	大	小
寄生閘流體(SCR)	有	無	Bulk CMOS 在結構上有自然形成的PNPN(SCR).所以有LATCH UP 的潛在怎能.

6. SOI CMOS 使用的範圍？

• 從前頁 SOI  的優勢表上我們可以看出. SOI 在功率消耗,  工作頻寬, Latch-up, 元件密度上 有更好的整體表現. 原則上, SOI 是可以使用在 數位線路 , 類比線路,甚至於 power device. 但是一般 Discrete power device 為了工作在高電壓,大電流. 它是採用了Vertical的結構. 所以 SOI (屬於Lateral 結構) 就只適用在小 power 的power device上了.